Publikace detail

Local structure of the crystalline and amorphous states of Ga2Te3 phase-change alloy without resonant bonding: A combined x-ray absorption and ab initio study

Rok: 2017

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Physical Review B

Název nakladatele: American Physical Society

Místo vydání: College Park

Strana od-do: "054114-1"-"054114-11"

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Lokální struktura krystalického a amorfního stavu Ga2Te3 phase change slitině bez resonančních vazeb: Sdružená studie rentgenové absorpce a ab initio	Paměti na bázi fázové změny jsou běžně asociovány s GeTe-Sb2Te3 quasibinárními slitinami, kde velký optický kontrast mezi krystalickou a amorfní fází je přisuzován k tvorbě resonančních vazeb v krystalické fázi, jejíž struktura je podobná kuchyňské soli. Nedávná zjištění, že tetraedricky vázaný Ga2Te3 má podobně velký kontrast ve vlastnostech a velmi nízkou teplotní vodivost v krystalické fázi a spíná za nízkých energií, zpochybňují existující paradigma. V této práci demonstrujeme lokální strukturu krystalické a amorfní fáze Ga2Te3 získaných měřením rentgenové absorpce a ab initio simulací. Na základě získaných výsledků je navržen model fázové přeměny v Ga2Te3. Tvrdíme, že účinná přeměna v Ga2Te3 je způsoben přítomností primárních a sekundárních vazeb v krystalické fázi pocházejících z vysoké koncentrace vakancí po Ga, zatímco strukturní stabilita obou fází je zajištěna polyvalencí atomů Te díky přítomnosti nevazebného elektronového páru a tvorbě podobné atomárním vazbám v amorfní fázi.	Výpočty celkové energie; vlnová báze; tepelná vodivost; tenké vrstvy; neuspořádané struktury; optické vlastnosti; Sb-Te; polovodiče; paměti; elektrony
eng	Local structure of the crystalline and amorphous states of Ga2Te3 phase-change alloy without resonant bonding: A combined x-ray absorption and ab initio study	Phase-change memories are usually associated with GeTe-Sb2Te3 quasibinary alloys, where the large optical contrast between the crystalline and amorphous phases is attributed to the formation of resonant bonds in the crystalline phase, which has a rocksalt-like structure. The recent findings that tetrahedrally bonded Ga2Te3 possesses a similarly large property contrast and very low thermal conductivity in the crystalline phase and undergoes low-energy switching [H. Zhu et al., Appl. Phys. Lett. 97, 083504 (2010); K. Kurosaki et al., Appl. Phys. Lett. 93, 012101 (2008)] challenge the existing paradigm. In this work we report on the local structure of the crystalline and amorphous phases of Ga2Te3 obtained from x-ray absorption measurements and ab initio simulations. Based on the obtained results, a model of phase change in Ga2Te3 is proposed. We argue that efficient switching in Ga2Te3 is due to the presence of primary and secondary bonding in the crystalline phase originating from the high concentration of Ga vacancies, whereas the structural stability of both phases is ensured by polyvalency of Te atoms due to the presence of lone-pair electrons and the formation of like-atom bonds in the amorphous phase.	total-energy calculations; wave basis-set; thermal-conductivity; thin-films; disordered structures; optical-properties; sb-te; semiconductors; memory; electrons

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte