Publikace detail

Detection of N-Te bonds in the as-deposited amorphous nitrogen-doped GeTe-based phase change alloys using N K-edge XANES spectroscopy and their impact on crystallization

Rok: 2017

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of Alloys and Compounds

Název nakladatele: Elsevier Science SA

Místo vydání: Lausanne

Strana od-do: 254-259

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Detekce N-Te vazeb v dusíkem dopovaných amorfních phase change slitinách na bázi GeTe pomocí XANES spektroskopie N K-hrany a jejich dopad na krystalizaci	Zjistili jsme pomocí XANES studií N K-hrany značný rozdíl v lokálním uspořádání kolem atomů dusíku v čerstvě připravených amorfních a žíhaných dusíkem dopovaných slitinách na bázi GeTe. Zřetelné změny se objevují v podobě posunu v absorpční hraně o 2 eV do vyšších fotonových energií a celkovým tvarem XANES spektra. Porovnání experimentálního XANES spektra deponované amorfní fáze s ab-initio XANES simulacemi odhaluje, že deponovaná amorfní fáze se převážně skládá z NGe3 a NTe3 pyramidálních jednotek v přibližně shodném koncentraci. Během žíhání se NTe3 jednotky postupně přetvářejí do NGe3 jednotek a současně atomy dusíku difundují skrz amorfní fázi za tvorby GexNy shluků. Při dlouhodobém žíhání na teplotu 400°C se vytváří v krystalické fázi mezivrstva Ge3N4.	RTG absorpční spektroskopie; Phase-change paměť; lokální struktura
eng	Detection of N-Te bonds in the as-deposited amorphous nitrogen-doped GeTe-based phase change alloys using N K-edge XANES spectroscopy and their impact on crystallization	Using N K-edge XANES studies, we demonstrate a noticeable difference in local structure around the nitrogen atoms in as-deposited amorphous and annealed N-doped GeTe-based phase change alloys. The pronounced changes appear as a approximate to 2 eV shift in the absorption edge to higher photon energies and the overall shape of the XANES spectrum. Comparison of the experimental XANES spectrum of the as deposited amorphous phase with ab-initio XANES simulations discloses that the as-deposited phase mainly consists of the NGe3 and the NTe3 pyramidal units in approximately equal concentration. When annealed, NTe3 units gradually rebond to the NGe3 units and at the same time N atoms diffuse through the amorphous phase to form the GexNy aggregates. Upon long-standing annealing at 400 degrees C a compact interlayer of Ge3N4 is formed in the crystalline phase.	X-ray absorption spectroscopy; Phase-change memory; Local structure

Search

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte