Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Transient nucleation in Ge-Sb-S thin films
Rok: 2018
Druh publikace: ostatní - článek ve sborníku
Název zdroje: 13th International Conference on Solid State Chemistry : book of abstracts
Název nakladatele: Univerzita Pardubice
Místo vydání: Pardubice
Strana od-do: 116-116
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
eng Transient nucleation in Ge-Sb-S thin films The nucleation behavior and kinetics in Ge0.8Sb39.1S60.1 thin films were studied using optical microscope coupled with computer-controlled heating stage. In-situ nucleation experiments were performed in temperature range 236-295°C. The transient nucleation was observed and described by Shneidman equation. The classical nucleation theory was applied on temperature dependence of steady-state nucleation rate. nucleation; Ge-Sb-S; thin film; CNT