Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

The response of (GeS2)(x)(Sb2S3)((1-x)) thin films to illumination and annealing
Rok: 2019
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Thin Solid Films
Název nakladatele: Elsevier Science BV
Místo vydání: Amsterdam
Strana od-do: 113-119
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Reakce (GeS2) (x) (Sb2S3) ((1-x)) tenkých vrstev na osvětlení a zahřívání Amorfní (GeS2) (x) (Sb2S3) ((1-x)) filmy, kde 0,29 <x <0,94, byly připraveny termickým napařováním z dříve syntetizovaného objemového skla. Byla studována reakce panenských a temperovaných stavů filmů na mírně nadgapové osvětlení s ohledem na posun opticky zakázaného pásu (Eg (opt)) a sklon hrany (B-1/2). Velikost fotosvětlání a ztmavení byla ovlivněna s molární frakcí GeS2 (x). Spektrální citlivost foto-tmavnutí byla studována pro temperovaný stav nejcitlivějšího tenkého filmu. Chalkogenidy Ge-Sb-S; Tenké filmy; Osvětlení; temperace
eng The response of (GeS2)(x)(Sb2S3)((1-x)) thin films to illumination and annealing Amorphous (GeS2)(x)(Sb2S3)((1-x)) films where 0.29 < x < 0.94 were prepared by thermal evaporation from previously synthetized bulk glass. The response of virgin and annealed states of films to the slightly over-band gap illumination with respect to the shift of the optical band gap (E-g(opt) ) and the slope of the optical absorption edge (B-1/2) was studied. The magnitude of photo-bleaching and photo-darkening varied with the molar fraction of GeS2 (x) (the average coordination number CN) while a maximum of photo-sensitivity was observed, with respect to the experimental error of chemical composition determination, at CN approximate to 2.6 (x approximate to 0.80). The spectral sensitivity of photo-darkening was studied for the annealed state of the most sensitive thin film. Ge-Sb-S chalcogenides; Thin films; Optical band gap; Illumination; Annealing