Přejít k hlavnímu obsahu

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Spectroscopic ellipsometry investigation of electronic states and optical properties of thin films from Ge30AsxSe70-x system.
Autoři: Todorov R. | Černošková Eva | Vlasová Martina | Hristova-Vasileva T. | Atanasova A. | Katrova V. | Černošek Zdeněk
Rok: 2020
Druh publikace: článek v odborném periodiku
Název zdroje: Journal of Non-Crystalline Solids
Strana od-do: 1-9
Tituly:
Jazyk Název Abstrakt Klíčová slova
cze Spektroskopickéelipsometrie vyšetřování elektronických stavů a optické vlastnosti tenkých filmů z Ge 30 As x Se 70-x systém Tento článek se zabývá zkoumáním optických vlastností tenkých vrstev ze systému Ge 30 As x Se 70-x . Komplexní permitivita, ε ^ = ε 1 + iε 2 , a mezera optického pásma, E g opt , byly určeny pomocíspektroskopickéelipsometrická měření. Spektra ε 2 v ultrafialovém spektrálním rozsahu byla analyzována na základě existujících údajů z literatury pro spektra valenčního pásma získaná rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií. Bylo zjištěno, že absorpce ve spektrálním rozmezí 2,0–6,5 eV souvisí s vazbami a anti-vazbami p-orbitalů atomů Ge, Se a As. Byly stanoveny teplotní koeficienty lineární roztažnosti, index lomu a mezery v pásmu. Vyhodnocené hodnoty nelineárního indexu lomu γ a koeficientu absorpce dvou fotonů β ukázaly, že tenké vrstvy vykazují vysoce nelineární index lomu na telekomunikační vlnové délce. chalkogenidová skla; skleněná konstrukce; spektroskopická elipsometrie
eng Spectroscopic ellipsometry investigation of electronic states and optical properties of thin films from Ge30AsxSe70-x system. This paper deals with the investigation of the optical properties of thin films from the Ge30AsxSe70-x system. The complex permittivity, (epsilon) over cap = epsilon(1) + i epsilon(2), and the optical band gap, E-g(opt) were determined by spectroscopic ellipsometry measurements. The spectra of epsilon 2 in the ultraviolet spectral range were analysed on the base of the existing literature data for the valence band spectra obtained by X-ray photoelectron spectroscopy. It was found that the absorption in the spectral range 2.0-6.5 eV is related to the bonding and anti-bondingp-orbitals of Ge, Se and As atoms. The temperature coefficients of linear expansion, refractive index and the band gaps were determined. The evaluated values for the non-linear refractive index, gamma, and the two-photon absorption coefficient, beta, showed that the thin films exhibit a highly non-linear refractive index at the telecommunication wavelength. chalcogenide glasses; glass structure; spectroscopic elipsometry