Publikace detail

Organoselenium Precursors for Atomic Layer Deposition

Autoři: Charvot Jaroslav | Zazpe Raul | Macák Jan | Bureš Filip

Rok: 2021

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: ACS Omega

Název nakladatele: American Chemical Society

Místo vydání: Washington

Strana od-do: 6554-6558

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Organoselenové prekurzory pro depozici atomárních vrstev	Jsou představeny organoselenové sloučeniny s perspektivními aplikacemi jako selenové prekurzory pro depozice atomárních vrstev. Nabídka dostupných Se prekurzorů byla rozšířena o bis(trialkylsilyl)selenidy, bis(trialkylstannyl)seleniys, cyklické selenidy a tetrakis(N,N-dimethyldithiokarbamate)-selenium. Jsou diskutovány strukturní aspekty, základní vlastnosti, způsoby přípravy a ladění vlastností sloučenin.	Organoselenové prekurzory; depozice atomárních vrstev
eng	Organoselenium Precursors for Atomic Layer Deposition	Organoselenium compounds with perspective application as Se precursors for atomic layer deposition have been reviewed. The originally limited portfolio of available Se precursors such as H2Se and diethyl(di)selenide has recently been extended by bis trialkylsilyl)selenides, bis(trialkylstannyl)selenides, cyclic selenides, and tetrakis(N,N-dimethyldithiocarbamate)-selenium. Their structural aspects, property tuning, fundamental properties, and preparations are discussed. It turned out that symmetric four- and six-membered cyclic silyl selenides possess well-balanced reactivity/stability, facile and cost-effective synthesis starting from inexpensive and readily available chlorosilanes, improved resistance toward air and moisture, easy handling, sufficient volatility, thermal resistance, and complete gas-to-solid phase exchange reaction with MoCl5, affording MoSe2 nanostructures. These properties make them the most promising Se precursor developed for atomic layer deposition so far.	Organoselenium; Precursors for Atomic Layer Deposition

Search

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte