Publikace detail

Laser ablation of Ga-Sb-Te thin films monitored with quadrupole ion trap time-of-flight mass spectrometry

Autoři: Mandal Govinda | Kotrla Magdaléna | Nazabal Virginie | Němec Petr | Havel Josef

Rok: 2021

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Journal of the American Ceramic Society

Název nakladatele: Wiley-Blackwell

Místo vydání: Hoboken

Strana od-do: 6643-6652

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Laserová ablace tenkých vrstev Ga-Sb-Te monitorovaná pomocí hmotnostní spektrometrie s kvadrupólovou iontovou pastí	Laserová ablace tenkých vrstev chalkogenidu Ga-Sb-Te připravených radiofrekvenčním vícekatodovým magnetronovým naprašováním byla sledována pomocí time-of-flight hmotnostní spektrometrie s kvadrupólovou iontovou pastí (QIT-TOF-MS). Byla zaznamenána hmotnostní spektra 11 tenkých vrstev různého složení (Ga: 0-53,1, Sb: 0-52,0 a Te: 0-100,0 at. %). Bylo identifikováno několik sérií unárních (Ga-x, Sb-y a Te-z), binárních (GaxSby, GaxTez a SbyTez) a ternárních klastrů GaxSbyTez v pozitivním i negativním iontovém módu. Byla stanovena stechiometrie pozorovaných klastrů. Pro tenkou vrstvu s nízkým obsahem 6,5 at.% Sb bylo detekováno až 18 binárních klastrů (kladně i záporně nabitých). Nejvyšší počet (4) ternárních klastrů byl pozorován u tenké vrstvy s vysokým obsahem 66,7 at.% Te. Počet generovaných klastrů a intenzita jejich signálu se měnily podle chemického složení tenkých vrstev. Celkem bylo detekováno 41 klastrů. Monitorování laserové ablace ukazuje laserem indukovanou fragmentaci struktury tenké vrstvy. Je diskutován vztah stechiometrie klastrů k chemickému složení tenkých vrstev. Fragmentaci lze snížit pokrytím povrchu tenkých filmů tenkými vrstvami parafínu, glycerolu nebo trehalózy. Stechiometrie generovaných klastrů ukazuje částečnou strukturní charakterizaci tenkých vrstev.	amorfní chalkogenidy; klastry; Ga-Sb-Te; laserová ablace; hmotnostní spektrometrie; tenké vrstvy
eng	Laser ablation of Ga-Sb-Te thin films monitored with quadrupole ion trap time-of-flight mass spectrometry	Laser ablation of Ga-Sb-Te chalcogenide thin films prepared by radiofrequency magnetron co-sputtering was monitored with quadrupole ion trap time-of-flight mass spectrometry (QIT-TOF-MS). The mass spectra of 11 thin films of various compositions (Ga: 0-53.1, Sb: 0-52.0, and Te: 0-100.0 at. %) were recorded. Several series of unary (Ga-x, Sb-y, and Te-z), binary (GaxSby, GaxTez, and SbyTez), and ternary GaxSbyTez clusters were identified in both positive and negative ion modes. Stoichiometry of observed clusters was determined. Up to 18 binary clusters (positively and negatively charged) were detected for thin film with low Sb content of 6.5 at. %. The highest number (4) of ternary clusters was observed for thin film with high Te content of 66.7 at. %. The number of generated clusters and their peaks intensity varied according to the chemical composition of thin films. Altogether, 41 clusters were detected. The laser ablation monitoring shows laser-induced fragmentation of thin film structure. The relation of clusters stoichiometries to the chemical composition of thin films is discussed. The fragmentation can be diminished by covering a surface of thin films with paraffin's, glycerol, or trehalose sugar thin layers. The stoichiometry of generated clusters shows partial structural characterization of thin films.	amorphous chalcogenides; clusters; Ga-Sb-Te; laser ablation; mass spectrometry; thin films

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte