Publikace detail

Interfacial Distortion of Sb2Te3-Sb2Se3 Multilayers via Atomic Layer Deposition for Enhanced Thermoelectric Properties

Rok: 2024

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: ACS Nano

Název nakladatele: American Chemical Society

Místo vydání: Washington

Strana od-do: 17500-17508

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Mezivrstevné interakce Sb3Te3-Sb2Se3 připraveného technikou depozice atomárních vrstev pro jeho termoelektrické vlastnosti	Depozice atomárních vrstev (ALD) je efektivní technika nanášení tenkých filmů s přesnou regulací tloušťky vrstvy a funkčních vlastností. Metodou termální ALD byly syntetizovány nanostruktury Sb2Te3-Sb2Se3. Zmenšení tloušťky vrstvy Sb2Te3 vedlo ke vzniku píků z Laueových kruhů, to svědčí o vysoce texturované filmové struktuře s optimalizovanou krystalinitou. Optimalizací tloušťky vrstev jsme dosáhli zjevného zlepšení Seebeckova koeficientu a dosáhli jsme maximální hodnoty (zT) 0,38 při laboratorní teplotě.	depozice atomárních vrstev; Sb2Te3-Sb2Se3; 2D materiály; transportní vlastnosti
eng	Interfacial Distortion of Sb2Te3-Sb2Se3 Multilayers via Atomic Layer Deposition for Enhanced Thermoelectric Properties	Atomic layer deposition (ALD) is an effective technique for depositing thin films with precise control of layer thickness and functional properties. In this work, Sb2Te3-Sb2Se3 nanostructures were synthesized using thermal ALD. A decrease in the Sb2Te3 layer thickness led to the emergence of distinct peaks from the Laue rings, indicative of a highly textured film structure with optimized crystallinity. Density functional theory simulations revealed that carrier redistribution occurs at the interface to establish charge equilibrium. By carefully optimizing the layer thicknesses, we achieved an obvious enhancement in the Seebeck coefficient, reaching a peak figure of merit (zT) value of 0.38 at room temperature. These investigations not only provide strong evidence for the potential of ALD manipulation to improve the electrical performance of metal chalcogenides but also offer valuable insights into achieving high performance in two-dimensional materials.	atomic layer deposition; Sb2Te3-Sb2Se3; 2D materials; interface engineering; transport property

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte