Publikace detail

Direct visualization and 3D reconstruction of conductive filaments in aSiO2 material-based memristive device

Rok: 2024

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Physical Chemistry Chemical Physics

Název nakladatele: Royal Society of Chemistry

Místo vydání: Cambridge

Strana od-do: 10069-10077

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Přímá vizualizace a 3D rekonstrukce vodivých vláken v memristivním zařízení na bázi SiO2	Pozorování vodivých vláken výrazně napomohlo vývoji teoretických modelů memristivních zařízení. V této práci jsme zviditelnili a rekonstruovali vodivá vlákna v zařízení SiO2/W dopovaném Cu/Cu pomocí fokusovaného iontového svazku (FIB) jako techniky odprašování. Snímky SEM pořízené ze zařízení po 150 cyklech stejnosměrného proudu ukázaly, že Jouleovo teplo hraje zásadní roli při určování morfologie vodivého vlákna, kdy odpařování vodivého vlákna vede ke vzniku defektů, včetně částic, dutin a kavit. Konkurence mezi tvorbou a odpařováním vodivých vláken obecně vyvolává pozoruhodné kolísání proudu. Protože jako elektrolyt byl použit SiO2 dopovaný Cu, odpařováním docházelo k exfoliaci přilehlých jednotlivých vrstev. FIB frézování probíhalo v režimech shora dolů a zepředu dozadu; podle série snímků FIB-SEM byl tedy sestrojen 3D model vodivých vláken a defektů. Tato metodika je slibná pro budoucí analýzu poruch memristivních zařízení.	výkonnost
eng	Direct visualization and 3D reconstruction of conductive filaments in aSiO2 material-based memristive device	Observation of conductive filaments has greatly aided the development of theoretical models of memristive devices. In this work, we visualized and reconstructed the conductive filaments in a Cu/Cu-doped SiO2/W device employing a focused ion beam (FIB) as a milling technique. The SEM images taken from the device after 150 DC sweep cycles showed that Joule heat played a vital role in determining the morphology of a conductive filament, where the vaporization of the conductive filament resulted in the creation of defects, including particles, voids, and cavities. The competition between the formation and vaporization of conductive filaments generally induces a remarkable current fluctuation. Since Cu-doped SiO2 was utilized as the electrolyte, the vapors exfoliated adjacent single layers. FIB milling proceeded in top-down and front-back modes; thus, a 3D model of conductive filaments and defects was constructed according to a series of FIB-SEM images. This methodology is promising for a future failure analysis of memristive devices.	performance

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte