Publikace detail

The creation of defects in Cu-doped TiO2 memristive devices

Autoři: Gu Bin | Zhang Bo | Wágner Tomáš

Rok: 2024

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: MRS Communications

Název nakladatele: Springer

Místo vydání: Vídeň

Strana od-do: 1313-1318

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Vznik defektů v memristivních zařízeních z TiO2 dopovaného Cu	Memristory se používají v nevolatilních pamětech a umělých synaptických zařízeních. Průmyslové využití memristorů je však omezeno výskytem defektů, jejichž mechanismus je stále předmětem diskusí. V tomto článku jsme systematicky zkoumali mechanismus vzniku defektů vytvořených Jouleovým ohřevem v memristivním zařízení z TiO2 dopovaného Cu. Výsledky také ukázaly, že Jouleovo zahřívání pro umělou emulaci synapse je méně závažné než pro ukládání digitálních dat.	Fyzikální napařování; polovodiče; tenké vrstvy
eng	The creation of defects in Cu-doped TiO2 memristive devices	Memristors are utilized in nonvolatile memory and artificial synaptic devices. However, the industrial application of memristors has been restricted by the occurrence of fatigue, the mechanism of which is still under debate. In this paper, we systematically investigated the mechanism of defect generation created by Joule heating in Cu-doped TiO2 memristive device. The results also demonstrated that the Joule heat for artificial synaptic emulation was less severe than that for digital data storage.	Physical vapor deposition; Semiconductors; Thin films

Vyhledávání