Publikace detail

Co-sputtered phase-change Ga-Sb-Te thin films

Rok: 2024

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Materials advances

Název nakladatele: ROYAL SOC CHEMISTRY

Místo vydání: CAMBRIDGE

Strana od-do: 6081-6089

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Tenké vrstvy Ga-Sb-Te s fázovou změnou připravené magnetronovým naprašováním	Tenké vrstvy se složením rovnoměrně distribuovaným podél spojnice GaSb-GaTe a GaSb-Te byly deponovány radiofrekvenčním magnetronovým naprašováním. K vyhodnocení vlastností materiálů bylo použito několik charakterizačních technik (skenovací elektronová mikroskopie s energeticky disperzní rentgenovou analýzou, teplotně závislý dopad rentgenových paprsků, Ramanova spektroskopie, spektroskopická elipsometrie a teplotní závislosti odporu vrstvy). a to jak pro amorfní tak žíhané Ga-Sb-Te filmy. Byla studuvána změna krystalizační teploty ovlivněná změnami složení spolu se změnou optických vlastností po krystalizaci vyvolané žíháním. Optický kontrast mezi žíhaným a amorfním stavem při vlnové délce 405 nm dosahuje hodnoty blízké 1,85, což je srovnatelné s hodnotou v případě komerčně používaného Ge2Sb2Te5. Všechny filmy vykazovaly pokles plošného odporu s rostoucí teplotou (o 4-7 řádů) s výjimkou Ga5Sb2Te3 a Ga5SbTe4. Výsledky získané z rentgenové difrakce odhalují Sb, GaSb, antimonitý telurid gallia spolu s Sb2Te3 a Te jako možné fáze, které se objevují ve filmech po žíhání. Ramanova spektra navíc odhalila vibrační módy mezi Ga a Sb, vibrace vazeb Sb-Sb, vibrace Te-Te a vibrace Sb-Te.	ramanův rozptyl; kinetika krystalizace; paměť s fázovou změnou
eng	Co-sputtered phase-change Ga-Sb-Te thin films	Thin films with compositions equally distributed through GaSb-GaTe and GaSb-Te tie-lines were fabricated by radio-frequency magnetron co-sputtering. Several characterization techniques (scanning electron microscopy with energy-dispersive X-ray analysis, temperature dependent grazing incidence X-ray diffraction, Raman scattering spectroscopy, variable angle spectroscopic ellipsometry and sheet resistance temperature dependences) were employed to evaluate the properties of both as-deposited and annealed Ga-Sb-Te films. The change in the crystallization temperature influenced by composition variations is studied along with the change in the optical properties upon crystallization induced by annealing. The optical contrast between the annealed and amorphous states at a wavelength of 405 nm reaches a value of similar to 1.85 which is comparable with that in the case of commercially used Ge2Sb2Te5. All films showed a drop in temperature-dependent sheet resistance (similar to 4-7 orders of magnitude) except for Ga5Sb2Te3 and Ga5SbTe4. The results obtained from X-ray diffraction reveal Sb, GaSb, gallium antimony telluride together with Sb2Te3 and Te as possible phases which appear in the films after annealing. Additionally, Raman spectra revealed vibrational modes between Ga and Sb, vibrations of Sb-Sb bonds, vibrations of Te-Te and vibrations of Sb-Te. Changes between amorphous and crystalline phase of thin films with compositions equally distributed through GaSb-GaTe and GaSb-Te tie-lines fabricated by radio-frequency magnetron co-sputtering were studied.	raman-scattering; crystallization kinetics; phase change memory

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte