Publikace detail

New class of Zr precursor containing boratabenzene ligand enabling highly conformal wafer-scale zirconium dioxide thin films through atomic layer deposition

Rok: 2024

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Surfaces and Interfaces

Název nakladatele: Elsevier Science BV

Místo vydání: Amsterdam

Strana od-do: 104014

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Nové prekurzory Zr obsahující boratabenzenový ligand umožňující depozici vysoce konformních tenkých filmů oxidu zirkoničitého prostřednictvím depozice atomových vrstvev	Tato studie představuje tenké vrstvy oxidu zirkoničitého (ZrO2) deponované prostřednictvím depozice atomových vrstev (ALD) za použití nového prekurzoru Zr, tris(dimethylamido)dimethylamidoboratabenzenzirkonium [eta(6):eta(1)-(C5H5BNMe2)Zr(IV) (NMe2)(3)] a reaktantu O2 na substrátu SiO2/Si v rozmezí 150-350 °C. Úspěšný růst vysoce konformních a amorfních filmů ZrO2 byl možný s použitím O2 jako slabého zdroje kyslíku. Tento nově navrhovaný proces vykazoval zřetelné charakteristiky ALD, včetně samoomezujícího růstu filmu a lineárního vztahu mezi počtem cyklů ALD a tloušťkou filmu, a vykazoval zvýšené okno depoziční teploty a růst 0,87 Angstrom na cyklus;, což je vyšší než za použití několika dříve uvedených prekurzorů Zr. Byl realizován extrémně konformní růst filmu s úplným pokrytím [poměr stran podobný 6,3] a rovnoměrností na 15 cm velké destičce SiO2/Si, což je jedna z hlavních předností. Strukturální studie odhalují převládající amorfní povahu nanesených filmů a přechod na nanokrystalické kubické filmy ZrO2 žíhané při 850 °C se zlepšenými vlastnostmi filmu, jako je stechiometrie, snížené množství nečistot, což je potvrzeno Rutherfordovou spektrometrií zpětného rozptylu, rentgenovou difrakcí, rentgenovou difrakcí fotoelektronová spektroskopie, detekce elastického zpětného rázu a sekundární iontová hmotnostní spektrometrickou analýzou. Optické vlastnosti připravených filmů byly také zkoumány elipsometrickou analýzou.	Depozice atomových vrstev; Nový prekurzor; ZrO2; Depozice na waferu; žíhání; Ellipsometrická analýza
eng	New class of Zr precursor containing boratabenzene ligand enabling highly conformal wafer-scale zirconium dioxide thin films through atomic layer deposition	This study presents the deposition of zirconium oxide (ZrO2) thin films through atomic layer deposition (ALD) using a novel Zr precursor, tris(dimethylamido) dimethylamidoboratabenzene zirconium [eta(6):eta(1)-(C5H5BNMe2)Zr(IV)(NMe2)(3)] and O2 reactant on SiO2/Si substrate in a range of 150-350 degrees C. The successful growth of highly conformal and amorphous ZrO2 films was possible using O2 as a mild oxygen source, which has rarely been found in ZrO2 ALD. This newly proposed process displayed distinct ALD characteristics, including self-limiting film growth and a linear relationship between the number of ALD cycles and film thickness, and exhibited enhanced deposition temperature window and growth per cycle of 0.87 Ang;, which is higher than those using several previously reported Zr precursors. Extremely conformal film growth with complete step coverage on trenches [aspect ratio of similar to 6.3] and uniformity on a 15 cm large SiO2/Si wafer was realized, which is one of the main highlights. Structural studies reveal a predominant amorphous nature of the as-deposited films and transition into nanocrystalline cubic ZrO2 films annealed at 850 degrees C with improved film properties such as stoichiometry, reduced impurities, which is confirmed by Rutherford backscattering spectrometry, X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, elastic recoil detection, and secondary ion mass spectrometry analyses. The optical properties of the prepared films were also examined via ellipsometry analysis.	Atomic layer deposition; Novel precursor; ZrO2; Wafer-scale growth; Post annealing; Ellipsometry analysis

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte