Publikace detail

Synthesis of titanium phosphide by thermal ALD based on a novel phosphorus precursor

Rok: 2025

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Nanoscale

Název nakladatele: Royal Society of Chemistry

Místo vydání: Cambridge

Strana od-do: 12406-12415

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Syntéza fosfidu titaničitého metodou termální ALD na bázi nového prekurzoru fosforu	V této práci poprvé představujeme syntézu fosfidu titaničitého (TixPy) metodou termální depozice atomárních vrstev (ALD) založenou na použití interně syntetizovaného Tris(trimethyltin)fosfidu (TMT3P) v kombinaci s chloridem titaničitým (TiCl4) jako prekurzorem P a Ti. Předvedený depoziční proces probíhal podle principů ALD a odhalil teplotní rozmezí ALD mezi 175 °C a 225 °C. Tenké filmy TixPy pěstované na substrátech různé povahy byly charakterizovány několika technikami, přičemž vykazovaly zrnité povrchy a elektrické rezistivity řádově v řádu stovek ohmů. Vlivy různých parametrů ALD, jako je teplota depozice, doba dávkování obou prekurzorů a typ substrátu, na chemické složení byly rozsáhle hodnoceny pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS). Je zajímavé, že výsledky ukázaly, že fosfid titaničitý je obohacen fosforemP a že jeho chemické složení závisí na teplotě depozice a typu substrátu. Na základě výsledků XPS byl poskytnut předběžný popis růstu TixPy v závislosti na počtu cyklů ALD.	atomární depozice vrstev; chemická depozice z plynné fáze; tenké filmy; růst
eng	Synthesis of titanium phosphide by thermal ALD based on a novel phosphorus precursor	Herein, we present for the first time the synthesis of titanium phosphide (TixPy) by thermal ALD based on the use of in-house synthesized Tris(trimethyltin)phosphide (TMT3P) combined with titanium tetrachloride (TiCl4) as the P- and Ti-precursor, respectively. The deposition process demonstrated followed ALD principles and revealed an ALD window between 175 degrees C and 225 degrees C. The TixPy thin films grown on substrates of different nature were characterized by several techniques, showing granular surfaces and electrical resistivities of the order of hundreds of Ohms. The effects of different ALD parameters such as deposition temperature, dosing time of both precursors, and the type of substrate on the chemical composition were extensively assessed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Interestingly, the results yielded the deposition of P-rich titanium phosphide and showed that its chemical composition depends on the deposition temperature and the type of substrate. Based on XPS results, a tentative description of the TixPy growth as a function of the number of ALD cycles was provided.	atomic layer deposition; chemical-vapor-deposition; thin-films; growth

Vyhledávání

Přihlášení pro studenty

Přihlášení pro zaměstnance

Publikace detail

Katedry

Ústavy a pracoviště

Jak nás najdete?

Služby

Často hledáte