Publikace detail

Photo-induced changes in some Ge-As-S amorphous thin films detected by means of AFM

Autoři: Knotek Petr | Munzar Martin | Tichý Ladislav

Rok: 2008

Druh publikace: ostatní - přednáška nebo poster

Název zdroje: 6th International Conference on Inorganic Materials - Delegate Manual

Název nakladatele: Elsevier

Místo vydání: Drážďany

Strana od-do: P2-37

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Fotoindukované změny v amorfních tenkých filmech Ge-As-S detekovaných pomocí AFM a AFAM	Amorfní Ge27As13S60, Ge14As27S59 a Ge16As26S58 tenké filmy byly připraveny napařením. Temperované filmy byly osvíceny a bylo pozorováno jejich výrazné ztmavení. Pomocí mikroskopie atomových sil (AFM) byla sledována výrazná foto-expanze osvícených filmů. Dále byla pomocí akustické mikroskopie atomových sil (AFAM) zjištěna doménová struktura povrchu a blízkých pod-povrchových částí filmu, která byla silně narušena osvícením.	Amorfní materiály
eng	Photo-induced changes in some Ge-As-S amorphous thin films detected by means of AFM	Amorphous Ge27As13S60, Ge14As27S59 and Ge16As26S58 thin films were prepared by thermal evaporation. Annealed films were photodarkened by the illumination. Using Atomic Force Microscopy (AFM) we observed significant photoexpansion of studied films. Atomic Force Acoustic Microscopy (AFAM)revealed domains like structure of the surface and near surface parts of the samples which one was found to be more disintegrated after illumination.	Amorphous materials

Vyhledávání